國家“十二五”科技創新成就展6月1日在北京展覽館拉開帷幕。“大幅面微納圖形直寫裝備”和“110吋雙屏電容觸控智能終端”作為國家863計劃參加“十二五”國家科技創新成就展。
 

 

        此次參展的“高性能電容觸控信息交互終端”，基于公司自主發明專利，采用“微納圖形化+柔性納米壓印+納米涂布”新方案，成為中大尺寸較優的解決方案之一，相對傳統的ITO導電膜，電阻小于10歐/方，線寬2-3微米，導電率相比ITO提高10倍以上，觸控壽命無限多次；最大支持110寸電容傳感電路，更支持柔性功能器件。蘇大維格從根本上攻克了大面積高性能透明導電材料的基礎難題，在業內建立了首條綠色制造生產線，是國內能批量供應大尺寸高端電容觸控屏的企業，55英寸、3微米線寬可量產的透明導電薄膜是目前行業的較高水平。
 

 

       而大尺寸電容觸控屏的核心裝備，便是蘇大維格自主研發的大幅面微納直寫光刻設備iGrapher820，該成果曾獲國家科技進步獎二等獎和江蘇省科技獎一等獎。下圖為設備照片：
 

 

       設備幅面達65寸，結構分辨率100納米，打破了納米光刻加工系統嚴重依賴國外引進的局面，并在國內外得到廣泛應用，為我國今后推進大幅面柔性功能器件和材料創新提供了關鍵技術和平臺。大幅面微納直寫光刻裝備使我國成為世界上少數幾個具備米級微納模具制備能力的國家之一。

       除了微納透明導電膜，蘇大維格還通過連續微納米結構的設計和制造，突破了近百年來裸眼3D原理中視差屏障及柱透鏡陣列所存在的固有缺陷，解決了現有裸眼3D顯示串擾大、視覺疲勞、用戶體驗不佳等問題，實現了無視差、無視覺疲勞的真裸眼3D顯示。同時基于納米結構色實現了“納米3D印刷”和光變色轉印材料；通過微透鏡陣列結構實現了超薄導光膜，并在國際平板電腦品牌上應用。

       即將亮相北京展覽館的“超寬雙屏高性能電容觸控信息交互終端”只是蘇州工業園區眾多納米高新技術與產品的冰山一角，它為納米技術在電子終端產品中的應用帶來無限遐想的同時，也必將在國家“十二五”科技創新成就展上令人驚艷。